硅片氧化条件
1. 温度:硅片氧化通常需要在高温条件下进行,以促使氧化反应进行。常见的氧化温度范围是800°C至1200°C之间。具体的氧化温度会根据所需氧化层的厚度和质量要求进行调控。
2. 气氛:硅片氧化过程中,需要选择适当的气氛来提供氧气供给。常用的氧化气氛是湿氧气氛(Wet Oxygen)或氧气气氛(Dry Oxygen)。湿氧气氛是指氧气中含有水蒸气,有助于氧化反应进行。氧气气氛是指纯净的氧气供给。
3. 氧化时间:氧化时间取决于所需的氧化层厚度和所用的氧化温度。通常情况下,硅片在氧化炉中进行一段时间,以确保达到所需的氧化层厚度。
4. 氧化设备:硅片的氧化通常在氧化炉中进行。氧化炉提供所需的温度和气氛,以促进硅片的氧化反应。氧化炉可以是水平管式炉、垂直炉或槽式炉等不同类型的设备。
单晶硅片/气相二氧化硅片
工业铝型材市场、光伏铝型材市场基本上都需要阳极氧化工艺。如何把现代技术应用到氧化生产线上,以提高生产效率,促进节能减排是近年来众多铝材加工企业关注的核心问题。现代的铝型材氧化生产线上,信息化技术的应用各有不同,许多公司都进行了信息化研究。
总体来说,这些研究和实施都是局部的。这样的局部的信息系统就如同一个个信息孤岛,相互之间的连接靠人工输入,很容易出现人为的错误,导致生产效率低下;多数企业的生产控制系统对工序的控制用的是有线传输,布线要求高,增加了成本。
具研究表明,应用信息化技术和高频氧化电源可使工业生产效率和节能电费提高10%,并使排放和污染降低25%。因此,信息化技术和高频氧化整流机的应用是铝加工企业能否实现产业结构的转型关键。
氧化整流电源是工业铝型材氧化工艺必不可少的重要设备,它的性能指标很大程度上决定了阳极氧化工业的生产水平、产品质量和节能效果。
高频铝氧化电源不仅体积小、低耗材、高效率而且精度高,易控制,因此迅速被氧化行业所接受。国际上只要是稍先进的国家基本上已淘汰了可控硅整流机。国内氧化行业对高频开关电源的应用也越来越普遍。
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